本發明公開了一種半導體芯片的失效分析方法,包括:切割半導體芯片制備具有橫截面的樣品;對樣品的衡截面進行研磨拋光、水洗并干燥樣品;配置化學染色液;將拋光好的樣品放入所述化學染色液中進行染色處理;對染色處理后的樣品進行清洗并干燥樣品;將樣品放置在掃描電鏡中進行檢查并進行顯微攝影,進行失效分析。本發明在對樣品進行研磨拋光之后,還采用化學染色液對樣品表面進行化學處理,最后才使用掃描電子顯微鏡對摻雜物分布和結面輪廓進行二維描述,并且能夠以較高的空間分辨率精確描繪摻雜剖面,從而可以對樣品的失效節點進行詳細而準確的分析。
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