本發明公開了一種三維非均勻化學刻蝕球型電極硅探測器,包括基體B、A1層和A2層,所述A1層和A2層分別設置于基體B的上表面和下表面,所述A1層的邊緣覆蓋有O1層,所述A2層的邊緣覆蓋有02層,所述A1層和A2層之間設置有基體B,所述基體B的頂部設有不同半徑但寬度相同的圓環柱F1?F3,所述基體B頂部的中央懸浮有中央收集陽極FO,所述基體B的底部設有外圍電極C1?C9,且通過D連接在一起。本發明三維非均勻化學刻蝕球型電極硅探測器以其均勻的電勢電場分布,沒有死區,電荷收集率高等優點,可應用在光子物理實驗以及較低輻照強度的科研領域。通過對三維非均勻化學刻蝕球型電極硅探測器的研究,可以使三維理想球型電極硅探測器的設想得以實現。
聲明:
“三維非均勻化學刻蝕球型電極硅探測器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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