一種測量晶體硅少子壽命的化學鈍化方法,將經過去損傷層處理后的硅片在常溫下用去離子水稀釋39%或49%的高濃度氟化氫溶液漂洗,去除硅片表面的自然氧化物,將硅片放入透明的,耐氟化氫HF,對電信號無干擾的塑料袋中,然后在晶體硅前后表面滴幾滴濃度39%或49%的氟化氫HF溶液,再在塑料袋外面將硅片上的氟化氫(HF)溶液均勻抹平,使表面的氟化氫溶液的厚度低于1MM;去除在硅片上殘留的氣泡。用塑料封口機對塑料袋密封后,將塑料袋放入測試設備的樣品臺中進行測試。本發明僅可以達到對硅片表面均勻的鈍化效果,使表面復合速度降低到100CM/S以下。而且成本低,易操作,測量不費時,尤其適用于太陽電池生產和研究單位對硅片原材料的檢測和分析。
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