本發明公開了一種檢測淺槽隔離直接化學機械拋光氮化硅殘留的方法及結構;包括以下步驟:步驟一、在襯底上制作一層埋層和一層主動區,埋層和主動區之間有交疊的部分,埋層交疊的部分在主動區之下;步驟二、進行淺槽隔離工藝直接化學機械拋光;步驟三、在淺槽隔離工藝直接化學機械拋光之后去除氮化硅;步驟四、進行檢測,判斷是否有氮化硅殘留。本發明可以簡單快捷的檢測淺槽隔離工藝直接化學機械拋光氮化硅殘留,為優化修正工藝提供可靠的保障。
聲明:
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