本發明公開了一種用于鎘離子高靈敏檢測的光電化學適配體傳感器的制備及應用。采用水熱法制備ZnO?TiO2納米復合材料,并以此為光電活性基元,將納米Au、適配體S依次修飾于其表面,該適配體3’自由端預修飾有?NH2,在偶聯劑EDC的作用下,將羧基化g?C3N4連接在適配體自由端,當該傳感界面的適配體因識別靶標物鎘離子而發生結構變化時,具有半導體特性的g?C3N4靠近電極表明,并表現出光電流的增強。隨著鎘離子的濃度逐漸增大,其光電流信號呈現規律性的變化,這是實現鎘離子定量分析的依據。研究表明該方法制備的光電化學適配體傳感器具有較高的靈敏度和較低的檢測限。
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