本發明涉及用于制造用于檢測至少一種氣態分析物的氣體傳感器裝置（100）的方法。所述方法（700）具有以下步驟：提供傳感器基體（110），所述半導體基體具有半導體襯底（112）和被布置在所述半導體襯底（112）的第一主表面上的固體電解質層（116），至少一個腔區段（114）成形在所述半導體襯底中。在此所述固體電解質層（116）在所述至少一個腔區段（114）中未被所述半導體襯底（112）覆蓋。所述方法還具有以下步驟：在所述傳感器基體（110）的半導體襯底側處生成以干化學方式沉積的信號傳導層（120），使得在所述至少一個腔區段（114）中未被所述半導體襯底（112）覆蓋的固體電解質層（116）的區域中，至少一個缺口區段在所述信號傳導層（120）中成形，在所述缺口區段中移除了或者未沉積所述信號傳導層（120）；此外，所述方法具有下述步驟：將至少兩個測量電極（130、140）借助于濕化學過程涂覆到所述固體電解質層（116）上，其中第一測量電極（130）布置在所述信號傳導層（120）的所述至少一個缺口區段中，并且第二測量電極（140）布置在所述傳感器基體（110）的固體電解質層側上。
聲明：
“用于制造用于檢測至少一種氣態分析物的氣體傳感器裝置的方法和用于檢測至少一種氣態分析物的氣體傳感器裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
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編輯：管理員
來源：中冶有色網
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2025年07月09日 ~ 11日 
