本發明涉及一種納米晶磁芯的橫磁處理方法,包括以下步驟:S1、選用納米晶帶材,將其卷繞成規定的尺寸;S2、調節橫磁爐的溫度,設定橫磁爐在25?35min內從常溫上升至495?505℃;S3、當橫磁爐溫度達到495?505℃時,將納米晶磁芯推入橫磁爐中;S4、關閉橫磁爐并在其中通入惰性氣體;S5、橫磁爐運行控溫程序,溫度維持在495?505℃之間25?35min,同時施加橫磁場處理;S6、待橫磁爐的爐溫冷卻至340?360℃時,關閉惰性氣體和橫磁電流。通過采用上述技術方案,可減少磁疇壁之間的摩擦,故此時磁芯的100K磁導率可到2.3萬以上;同時,節省了保溫時間,節約了成本。
聲明:
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