本發明屬于新型偏振光學器件領域,更具體地,涉及一種基于二維硒化亞鍺的偏振相位調制器件及其設計方法。其設計方法包括以下步驟:本發明首先制作若干不同厚度的二維GeSe并將其附著于襯底上,獲取這些二維GeSe的平面內光學常數,結合相位延遲量計算公式,計算得到不同厚度對應的相位延遲量,根據目標偏振相位調制器件對相位延遲量要求,確定該目標偏振相位調制器件中二維GeSe的厚度,最后通過實驗測量和計算擬合的比較來檢驗制作得到的偏振相位調制器件是否符合要求。本方法只需簡單設計便能實現偏振相位調制器件的厚度納米化,非常具有應用前景。
聲明:
“一種基于二維硒化亞鍺的偏振相位調制器件及其設計方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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