本發明涉及一種鈰離子摻雜釓鎵鋁石榴石閃爍晶體生長的裝置及工藝,操作簡單,通過所述工藝中各步驟的有效設計,使所得晶體長度一般為80?200mm,完整性很好,無螺旋、晶體開裂等現象,且晶體內部無明顯位錯、偏析、夾雜物等缺陷,且沿晶體生長方向,在晶體毛坯上每隔20mm切割成所需晶塊(或晶棒)樣品,經過研磨、拋光后進行晶體的方向性和閃爍性能檢測可知,所得晶體性能優異且一致性好,這對于該類晶體而言是技術上的重大創新。由于所得晶體,完整、性能優異且一致性好,故可將其應用于高能粒子探測、核物理、核醫學成像、安檢、工業探測任一領域的探測器件。
聲明:
“一種鈰離子摻雜釓鎵鋁石榴石閃爍晶體生長的裝置及工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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