本發明提供了一種半導體ETFE復合薄膜的制作方法,所述半導體ETFE復合薄膜包括以下重量百分比的組分:2~5%PI和95~98%ETFE,包括以下步驟:(a)將所述PI和所述ETFE分別烘干;(b)將烘干后的所述PI和所述ETFE進行攪拌混合得混合物料;(c)對所述混合物料進行冷卻得冷卻物料;(d)將所述冷卻物料進行高溫流延即可。通過精確控制其組分含量,使得ETFE復合薄膜具有合適的拉伸強度和斷裂伸長率,并能滿足在170℃溫度下進行性能檢測。
聲明:
“一種半導體ETFE復合薄膜的制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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