一種提高SiC場發射陰極材料高溫電子發射穩定性的方法,其包括以下具體步驟:1)有機前驅體聚硅硼氮烷在氣氛燒結爐中于260℃保溫30min熱交聯固化,然后球磨粉碎;2)以碳紙為襯底,在0.05mol/L的Co(NO3)2(純度:99%)乙醇溶液中浸漬處理,取出自然晾干備用;3)將粉碎得到的粉末置于石墨坩堝底部,浸漬處理的碳紙置于石墨坩堝頂部,一起置于氣氛保護爐中;4)在純度為99.9%的Ar氣氛保護下,從室溫以25℃/min加熱至1550℃;5)以15℃/min從1550℃降溫至1100℃;6)隨爐冷卻至室溫,實現原位B摻雜SiC納米線的制備;7)將SiC納米線用作場發射陰極進行電子發射性能檢測和分析。通過B摻雜,SiC場發射陰極材料的高溫電子發射穩定性得到了有效提高。
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