本發明實施例提供的半導體器件失效分析方法、裝置、設備及存儲介質,通過物理檢測獲取正常半導體器件的目標檢測參數,目標檢測參數包括正常半導體器件對應失效半導體器件上的失效點區域的檢測參數,其包括失效點區域的表面檢測參數、失效點區域的元素濃度檢測參數、失效點區域的剖面檢測參數;然后將獲取到的目標檢測參數作為預設仿真算法的輸入參數輸入,通過預設仿真算法結合預測失效結果,從而得到失效半導體器件的失效原因。也即本發明實施例實現了對失效半導體器件失效原因的逆向分析,以真實的失效半導體器件作為直接的分析對象,分析結果為全面、準確。
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