本發明涉及微電子技術領域,特別涉及一種TSV孔內介質層的電學性能檢測方法。包括:將沉積有介質層的TSV晶圓正向放置在真空環境中,晶圓上的TSV孔的開口朝上。在TSV孔內注入去離子水,并測量去離子水的流量;檢測TSV孔內的液面高度,當去離子水注滿TSV孔時,停止注入去離子水,記錄去離子水的總流量。對晶圓進行干燥,除去TSV孔內的去離子水;將晶圓反向放置,TSV孔的開口朝下。在TSV孔內注入汞,并測量汞的流量,控制汞的總流量小于記錄的去離子水的總流量;采用汞探針C-V測試儀對TSV孔進行電學性能檢測。本發明提供的TSV孔內介質層的電學性能檢測方法,能夠方便地對TSV孔進行電學性能檢測。
聲明:
“一種TSV孔內介質層的電學性能檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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