本發明涉及一株耐受納米二氧化鈦毒性的施氏假單胞菌及其應用。本發明培殖了一株具有納米二氧化碳耐受能力的施氏假單胞菌(P.stutzeri),其保藏號為CGMCC?No.14062。當廢水中存在高濃度水平(0?128mg/L)的納米二氧化鈦時,該菌株能夠以硝酸鹽氮為唯一氮源,在好氧環境下硝酸鹽氮的去除率可達100%,總氮的去除率同樣可達85%,表現出較強的對納米二氧化鈦毒性的耐受能力,對優化污水生物處理系統和減弱納米材料對污水脫氮系統的影響具有重要意義。
聲明:
“一株耐受納米二氧化鈦毒性的施氏假單胞菌及其應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)