本發明公開一種TiO2量子點復合MoS2納米花異質結半導體材料,其包括MoS2納米花和TiO2納米顆粒;所述TiO2納米顆粒均勻且大量分布在所述MoS2納米花的表面,在花瓣上具有良好復合;所述TiO2納米顆粒相呈點狀密集分布。為本發明還公開了TiO2量子點復合MoS2納米花異質結半導體材料的制備方法,采用兩步溶劑熱法使MoS2納米花上均勻生長出點狀TiO2納米顆粒,得到良好復合形貌的材料。本發明制備方法具有操作簡單,產量高,制備成本低等優點。本發明材料在光催化工業廢水和場發射領域有極大發展應用潛力。
聲明:
“TiO2量子點復合MoS2納米花異質結半導體材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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