本發明屬于半導體光電探測技術領域,具體涉及一種基于Cs3Cu2I5鈣鈦礦的自供能光電探測器及其制備方法,自供能光電探測器包括絕緣透明的襯底,襯底的上端從下到上依次設有載流子傳輸層、Cs3Cu2I5光吸收層和第一接觸電極,載流子傳輸層上設有第二接觸電極;制備方法采用磁控濺射或金屬有機物化學氣相沉積方法制備載流子傳輸層,采用溶液或氣相共蒸方法制備Cs3Cu2I5光吸收層,保證載流子傳輸層與Cs3Cu2I5光吸收層之間形成交錯型能帶排列,利用異質結界面處內建電場的形成使得光生載流子發生分離,從而實現探測器在零伏下的工作。本發明制備方法簡單,各功能層均環境友好,所制備的器件對紫外光有高的探測率,紫外可見光抑制比超過10的四次方,具有良好的應用前景。
聲明:
“基于Cs3Cu2I5鈣鈦礦的自供能光電探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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