本發明屬于微納制造與光電子器件相關技術領域,其公開了一種硫化鉬鈣鈦礦復合柔性光探測陣列器件及其制備方法,其制備方法包括以下步驟:(1)采用化學氣相沉積工藝制備連續硫化鉬薄膜;(2)將連續硫化鉬薄膜刻蝕成多個硫化鉬薄膜塊以形成硫化鉬薄膜方形陣列,并在每個硫化鉬薄膜塊上制備金屬對準標記;(3)將所述硫化鉬薄膜方形陣列及所述金屬對準標記同步轉移至柔性基底表面上;(4)在所述硫化鉬薄膜的表面制備金屬電極,并在所述硫化鉬薄膜方形陣列的外側形成疏水層;(5)將鈣鈦礦溶液涂覆在所述硫化鉬薄膜的表面以形成鈣鈦礦薄膜陣列,并進行封裝,直至制備完成。本發明提高了質量,靈活性及穩定性較好,響應速度快。
聲明:
“硫化鉬鈣鈦礦復合柔性光探測陣列器件及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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