本發明公開了一種金屬電極保護層的激光刻蝕鈣鈦礦探測器陣列及制備方法,涉及半導體器件技術領域,包括:襯底;金屬電極,位于襯底的一側,且陣列排布;金屬走線,位于襯底的一側,與金屬電極位于同層,且金屬電極通過金屬走線電連接;保護層,位于金屬電極和金屬走線背離襯底的一側;在采用激光刻蝕過程中,保護層用于保護金屬電極和金屬走線;光吸收層,位于保護層背離襯底的一側。本申請可實現在激光刻蝕的過程中對金屬電極和金屬走線進行保護,拓寬了激光刻蝕陣列的工藝窗口,提高了光電探測器陣列的探測精度。
聲明:
“金屬電極保護層的激光刻蝕鈣鈦礦探測器陣列及制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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