本發明涉及一種三維限制大面積鈣鈦礦單晶薄膜X射線探測器陣列的制備方法,包括:在襯底層上制備金屬陣列電極;在金屬陣列電極上制備第一圖形層;刻蝕金屬陣列電極上的PMMA層和第一光刻膠,形成隔離槽;在隔離槽上滴加MAPbI3過飽和溶液;在第一光刻膠和MAPbI3過飽和溶液上覆蓋軟板;在加熱的條件下,同時移除軟板,以在金屬陣列電極上形成MAPbI3單晶薄膜陣列;去除剩余的PMMA層和第一光刻膠,以完成鈣鈦礦單晶薄膜X射線探測器陣列的制備。本發明的方法制備的晶體陣列具有與塊體鈣鈦礦型單晶相當的高晶體質量,其厚度、面積可控。
聲明:
“三維限制大面積鈣鈦礦單晶薄膜X射線探測器陣列及方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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