本發明屬于光電探測器技術領域,公開了二維鈣鈦礦薄膜及含其的光電探測器的反溶劑制備方法。該二維鈣鈦礦薄膜的反溶劑制備方法,包括以下步驟:(1)將基底置于等離子清洗設備中進行改性處理,制得改性的基底;(2)取步驟(1)制得的改性的基底加熱,然后在改性的基底上滴加鈣鈦礦前驅體溶液,再滴加反溶劑,反應,退火,制得所述二維鈣鈦礦薄膜;所述反溶劑包括甲苯、丙酮、氯苯或氯仿中的至少一種。在二維鈣鈦礦薄膜上制備電極,制得光電探測器。該光電探測器的響應時間低于85ms,經過近90次循環光電流衰減不到7.7%,最佳響應度為200?670μA/W,最大光電流為3.5?13.2nA。
聲明:
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