本發明屬于半導體光電探測技術領域,具體涉及一種基于無鉛雙鈣鈦礦薄膜的深紫外光探測器及制備方法。其結構由雙面拋光的Al2O3襯底、n型寬帶隙電子傳輸層、Cs2AgBiBr6光吸收層和接觸電極構成。本發明一方面克服了傳統鈣鈦礦結構的不穩定性和鉛毒性等不利因素,另一方面借助寬帶隙電子傳輸層和Cs2AgBiBr6光吸收層間的能帶匹配實現光生載流子的快速分離和傳輸,同時亦可將器件的光探測范圍從可見光擴展到深紫外區域。該器件制備方法簡單易行、環境友好,所制備的光電探測器具有高的探測率和響應速度,有非常重要的應用價值。
聲明:
“基于無鉛雙鈣鈦礦薄膜的深紫外光探測器及制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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