本發明公開了一種低維半導體材料的電子自旋結構,本發明p型CuAlO2。為了進一步探求和澄清磁性半導體材料的磁性起源問題,TM元素Co和Ni摻雜CuAl02的磁學性質。選擇具有銅鐵礦結構的CuAl02材料進行研究,主要因為它是天然存在的為數不多的p型半導體材料之一,通過摻雜可以實現其p型或n型的導電性,從而使這類材料更接近實際應用。
聲明:
“低維半導體材料的電子自旋結構” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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