一種增強紫外波段響應度的硅雪崩光電二極管,該硅雪崩光電二極管以硅雪崩光電二極管作為基底,鈣鈦礦材料均勻分布在所述硅雪崩光電二極管表面。利用鈣鈦礦材料的高量子產率,將鈣鈦礦材料均勻分布在硅雪崩二極管表面,通過設計,使鈣鈦礦材料與硅雪崩光電二極管之間的光耦合較好,可以實現有效提高硅雪崩光電二極管的紫外波段響應度。且本發明所采用的制備方法簡單,易于實施,成本較低,且基本不影響探測器在可見光波段響應度。
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“增強紫外波段響應度的硅雪崩光電二極管及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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