本發明涉及一種基于GaN/CsPbBrxI3?x異質結的光響應型LED及其制備方法和應用。本發明的光響應型LED由藍寶石氮化鎵基片、全無機鈣鈦礦CsPbBrxI3?x薄膜、銦電極、碳電極組成,是一種In/GaN/CsPbBrxI3?x/C結構,其中:CsPbBrxI3?x薄膜中0
聲明:
“基于GaN/CsPbBrxI3-x異質結的光響應型LED及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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