本發明公開了一種二維鈣鈦礦單晶的制備方法,該發明利用液面限制法生長單晶,借助前驅體溶劑層本身的厚度使單晶體能夠再厚度方向上的生長受到抑制,在厚度方向液面限制的同時不影響晶體在其他方向的生長,可得到厚度可控的大尺寸的鈣鈦礦單晶。其次,通過液面而不是基板限制其厚度減少了鈣鈦礦單晶與基板的接觸,從而減少了單晶的缺陷。此外,前驅體液可擴散進入限制相溶劑之中并揮發,提高前驅液濃度并促進長大,相比于逆溫生長法所需溫度低,生長緩慢,保證了結晶質量,使得制備的光探測器表面陷阱密度更低,表現出卓越的光電性能。所述的超薄的鈣鈦礦單晶體在光電領域具有良好的應用前景。
聲明:
“二維鈣鈦礦單晶的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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