本申請公開了一種結構梯度變化的鈣鈦礦材料的制備方法及其應用,所述方法包括:將含有鈣鈦礦化合物和鹵代烴的物料,離子交換和/或空位缺陷鈍化,得到所述結構梯度變化的鈣鈦礦材料;所述鈣鈦礦化合物為鈣鈦礦多晶薄膜和/或鈣鈦礦單晶塊體;所述離子交換的條件為:溫度為80~140℃;時間為2~20h。本發明制備的鈣鈦礦材料具有低的缺陷態濃度和連續調制的半導體性能,在光電探測、傳感成像、發光顯示等半導體光電領域具有廣泛的應用前景。
聲明:
“結構梯度變化的鈣鈦礦材料的制備方法及其應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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