本發明公開了一種銅單晶片及單晶石墨烯的制備方法。所述可商業化生產的銅單晶片的制備方法,包括:利用定向凝固技術將多晶高純銅塊,熔煉制備得到大尺寸、橫截面為不同晶面的銅單晶棒;將所述的單晶銅棒沿橫截面方向進行線切割,得到上千片的銅單晶片;將所述銅單晶片的兩面都進行機械與電化學拋光處理,得到取向一致、表面光滑的銅單晶片,包括Cu(111)、Cu(110)和Cu(001)等晶體取向。將得到的Cu(111)單晶片作為催化基底,利用CVD生長技術可以制備出大面積、高質量的單晶石墨烯。本發明所述的銅單晶片的制備方法具有制備工藝簡單成熟、造價低、產率高、可商業化生產等特點,以Cu(111)單晶片為催化基底可以制備得到面積大、質量好的石墨烯單晶。
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