本發明涉及一種開管涂源全擴散制造低功耗雪崩晶閘管芯片的方法,包括1)工藝環境準備;2)超聲波清洗;3)硅片清洗;4)清洗石英架、石英砣:5)硅片硼-鋁擴散;6)氧化;7)一次光刻;8)磷擴散;9)割圓;10)燒結;11)二次光刻與蒸發一次成型;12)合金;13)臺面處理;14)測試。與現有技術相比,本發明的有益效果是:1)采用硼-鋁一次擴散,保證PN結前沿平緩及產品的一致性;2)采用二次光刻與蒸發一次成型技術,簡化工序,降低物理損傷,提高成品率和產品性能的可靠性;3)在超凈工藝環境中操作,特殊的清洗方法及優質清洗試劑保證長的少子壽命;4)新型燒結技術保證燒結變形小,粘接牢固,保證擴散參數穩定不變。
聲明:
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