耐等離子刻蝕陶瓷及其制備方法和等離子刻蝕設備

本發(fā)明涉及一種耐等離子刻蝕陶瓷及其制備方法和等離子刻蝕設備。上述耐等離子刻蝕陶瓷的制備方法包括如下步驟：按質(zhì)量百分比計，稱(chēng)取如下原料：納米級氧化釔粉體64.7％～100％及納米級氧化鋯粉體0％～35.3％，納米級氧化釔粉體的純度不低于90.0％；將原料進(jìn)行燒結，得到耐等離子刻蝕陶瓷，其中，燒結溫度為1600℃～2000℃，燒結時(shí)間為1h～2h。上述耐等離子刻蝕陶瓷的制備方法能夠使制備得到的陶瓷的耐刻蝕性較好，且致密度高、力學(xué)性能較好。