高結溫雪崩二極管芯片組件及其制造方法

本發(fā)明公開(kāi)了一種高結溫雪崩二極管芯片組件，包括正面金屬片、二極管擴散圓片和背面金屬片；二極管擴散圓片的兩面均設有鎳膜；兩層鎳膜的外側面與兩金屬片的內側面設焊料層；正面金屬片上設有應力吸收槽路，應力吸收槽路上設有溝槽，溝槽上設有聚酰亞胺鈍化層。本發(fā)明還公開(kāi)了一種高結溫雪崩二極管芯片組件的制造方法，采用聚酰亞胺作為鈍化層，避免玻璃鈍化固有的高溫漏電大，膨脹應力大等缺陷，提升了二極管結溫；而且減少所有光刻，節約了成本，同時(shí)避免了光刻不良引入的缺陷，帶來(lái)了極大的經(jīng)濟效益；本發(fā)明引入晶圓極的內引線(xiàn)金屬電極片，減少了臺面工藝帶來(lái)的翹曲、碎片，提高浪涌能力，提高成品率，并方便后續封裝工藝。