本發明屬于以半導體材料制備的輻射探測技術領域,公開了一種銫鉛鹵素鈣鈦礦厚膜及其制備與應用,其中制備方法具體是:(1)將銫鉛鹵素鈣鈦礦材料分散在基底上,然后加熱使溫度升至銫鉛鹵素鈣鈦礦的熔點以上,直至銫鉛鹵素鈣鈦礦完全熔化成液態;(2)將石英片覆蓋在液態的鈣鈦礦材料上,使被石英片覆蓋的液態鈣鈦礦材料在所述基底上均勻分散;(3)將溫度以0.1~5℃/min的速率緩慢降低進行冷卻,然后將石英片揭掉,即可得到粘連在基底上的鈣鈦礦厚膜。本發明通過對制備方法的整體工藝流程設計(包括溫度控制程序)等進行改進,能夠獲得高性能、取向一致、穩定的、高靈敏度大面積厚膜,解決現有技術存在的工藝復雜、靈敏度低、取向不一致等問題。
聲明:
“銫鉛鹵素鈣鈦礦厚膜及其制備與應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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