低介電損耗碳化硅纖維增強陶瓷復合材料的制備方法

本發(fā)明提供了一種低介電損耗碳化硅纖維增強陶瓷復合材料的制備方法，包括以下步驟：SiC@SiO2核殼結構的制備、表面沉積氧化鑭薄膜的SiC@SiO2核殼結構的制備、低介電損耗碳化硅纖維增強陶瓷復合材料的制備。本發(fā)明還提供了上述方法制得的低介電損耗碳化硅纖維增強陶瓷復合材料。本發(fā)明提供的低介電損耗碳化硅纖維增強陶瓷復合材料，通過(guò)在碳化硅陶瓷中分散碳化硅纖維大大提高了材料的韌性，利用碳化硅纖維制得SiC@SiO2核殼結構，降低了碳化硅纖維的介電參數，同時(shí)在碳化硅陶瓷中分散氧化硅等材料，進(jìn)一步降低了碳化硅陶瓷的介電參數，提高了絕緣性；同時(shí)SiC@SiO2核殼結構表面沉積氧化鑭薄膜，氧化鑭薄膜能有效提升纖維的抗氧化性能，減少由纖維氧化帶來(lái)的強度損傷化鑭，還可以降低配合料熔制過(guò)程中氧化硼化合物的揮發(fā)量。