本發明公開一種普適性自封裝鈣鈦礦薄膜的制備方法,包括以下步驟:首先,將不同種類聚合物溶液旋涂于基底上面,利用極性溶劑對聚合物薄層進行刻蝕和鈣鈦礦液相結晶的優勢,使產生的聚合物參與并調控鈣鈦礦的成核和生長過程,形成了聚合物自包覆的鈣鈦礦薄膜。本發明提供的自封裝鈣鈦礦薄膜制備過程簡單,成本低且可重復性高,具有普適性,并且得到的自封裝鈣鈦礦薄膜具有較高的結晶質量和良好的環境穩定性,極大地推動了太陽能電池、發光二極管、光探測器等鈣鈦礦光電子的商業化應用。
聲明:
“普適性自封裝鈣鈦礦薄膜的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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