本發明涉及一種高導熱、低膨脹金剛石-硅復合封裝材料的制備方法,屬于電子封裝材料領域。步驟為:①將金剛石微粒和體積分數40~70%硅粉與微量燒結助劑均勻混合,燒結助劑為Al或Ti粉;②將裝有混合物的石墨模具放入SPS,加壓20~30MPa并抽真空;③快速燒結,燒結時保溫溫度設定為1250~1370℃,燒結過程中采用惰性氣體或真空,燒結壓力為40~60MPa;④燒結結束后進行隨爐冷卻并在1000℃以下卸掉壓力,獲得致密無微裂紋的復合材料。本發明避免了燒結時間過長造成的金剛石石墨化及硅基體氧化等問題;可以通過改變原料的配比得到各種不同金剛石含量的復合材料,可操作性強,工藝簡單。并且所制得的復合材料熱導率高達515W/mK,熱膨脹低于1.5×10-6/K,致密度達99.6%以上,可用于電子封裝等領域。
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