本發明屬于微納制造與光電子器件領域,并具體公開了一種陣列互聯的CsPbCl3紫外光電探測器及其制備方法,包括步驟:S1在襯底上制備十字交叉型電極陣列;S2采用光刻套刻工藝進行CsCl前驅體掩膜版圖形轉移,采用薄膜沉積工藝在襯底上沉積得到CsCl前驅體圖案,該CsCl前驅體圖案位于十字交叉型電極陣列中并與其連接;S3采用薄膜沉積工藝在CsCl前驅體圖案上沉積前驅體PbCl2層,退火使CsPbCl3鈣鈦礦擴散結晶,得到圖案化CsPbCl3鈣鈦礦薄膜。本發明克服了傳統溶液法與光刻工藝不兼容的問題,可降低像元尺寸、提高像元密度,并降低電極面積占比,提升成像器件陣列密度,實現探測器小型化、集成化。
聲明:
“陣列互聯的CsPbCl3紫外光電探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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