本發明公開了一種硒化物納米棒、其制備方法及其制備的光電探測器,屬于納米半導體的制備領域。包括如下步驟:將KOH、SeO2粉、AgNO3和In(NO3)3溶解于非配位溶劑和少量的乙二胺中,在惰性氣體保護下,溫度為200~240℃,并劇烈攪拌,保溫12~24小時,制備得到硒化物納米棒。堿在熔融狀態下的其氫氧根離子分離成和,然后在非配位溶劑的稀釋下,降低其粘度提高其流動性,在熔融堿的這樣的堿性環境中In2Se3形成纖鋅礦結構的晶核,最后通過乙二胺分子在反應混合物中對晶面的競爭性吸附,誘導生長方向,促使In2Se3晶核繼續吸附和少量的和各向異性生長。解決了在實際使用過程中,本征電導率過低,導致探測器的光譜響應度和外量子效率較低的問題。
聲明:
“硒化物納米棒、其制備方法及其制備的光電探測器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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