本發明屬于光電探測器技術領域,公開了一種高性能的光電探測器制備方法,在硅基襯底上旋涂CdSxSe1?x納米片,利用電子束光刻及電子束蒸發鍍膜技術沉積上金電極,然后旋涂CsPbBr3納米晶體,退火處理后得到全無機CsPbBr3鈣鈦礦納米晶體/二維非層狀硒硫化鎘納米片的復合物結構光電探測器。本發明通過利用全無機鈣鈦礦晶體具有較高的穩定性,同時利用二維非層狀材料的優異物理性能與鈣鈦礦的強光吸收特性相結合,改善復合納米結構界面處的電荷載流子傳輸能力,從而提高光電探測器的性能。
聲明:
“高性能的光電探測器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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