本發明公開了一種適用于高能光子探測的隧穿光電二極管及其制備方法,采用厚度很高的本征鈣鈦礦晶體作為高能光子吸收體,獲得較高的光子吸收和轉換效率。利用溶液摻雜外延的方法在本征鈣鈦礦晶體兩端分別生長鈣鈦礦P型層和N型層,構成鈣鈦礦PIN結,并利用結區耗盡層勢壘抑制暗電流和噪聲。在結區外延生長窄帶隙量子點,構成能帶陷阱。當高能光子入射后,鈣鈦礦本征吸收體產生的光生載流子注入量子點能級陷阱,并發生隧穿場致發射,獲得高增益光電流。與常規的高能光子PIN探測結構相比較,由于引入了隧穿場發射結構,可以獲得較高的光電流增益。與高能光子雪崩二極管探測結構向比較,由于不產生隨機的雪崩效應,所以散粒噪聲比較小。
聲明:
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