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高純大尺寸氧化鎂單晶的制備方法

857   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-18 14:32:39
本發明公開了一種高純大尺寸氧化鎂單晶的制備方法,屬于晶體生長技術領域。該方法首先將菱鎂礦石提純化處理,得到高純的重燒氧化鎂;重燒氧化鎂經破碎、磁選、分篩后得到分級氧化鎂粉體;按照最大密度的堆積原則,將分級氧化鎂粉體級配混合,然后將10~50噸混合料一次性裝入單晶生長爐體中;在溫度2800~3500℃、電流2萬安培條件下冶煉20~50小時;自然冷卻后剝離外層的多晶氧化鎂層,得到氧化鎂單晶塊,再通過分選,即可得到高純大尺寸氧化鎂單晶。本發明方法可以生產高純度(≥99.99%)、大尺寸(≥2英寸)氧化鎂單晶,且該方法制備工藝簡單,對原料來源和設備及工藝條件的要求低,有利于推廣應用。
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