制造SrTiO3晶界層半導體陶瓷電容器的方法,采用二種不同晶型的工業TiO2,通過適當的配比合成主要成分SrTiO3,其原料組成及其含量為:1molSrCO3+(0.98~1.02)molTiO2+(0.2~0.45)%molNb2O5+(0.2~04.5)%molLa2O3,其中,TiO2為工業純,由銳鈦礦和金紅石兩種晶型組成,其配比范圍是:銳鈦礦∶金紅石=(0.3∶0.7)~(0.7∶0.3);上述原料經充分混勻后于1150~1250℃下預燒,然后粉碎過篩并成型、燒成,再氧化處理。本發明具有良好的工藝穩定性、產品合格率高,并可優化產品性能。
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