本發明涉及超細高純石英材料的制備方法,其工 藝為:采用國產優質脈石英礦(SiO2≥99%)為原料,經粗碎、靜電選法去雜、超細粉碎、高梯度磁選法去雜、微波處理、絡合法去雜以及后處理等工序生產電子級和微電子級超細高純石英新材料,其制備工藝采用靜電選法、高梯度磁選法、微波處理和絡合法等先進技術去除雜質,該方法使SiO2含量達99.99-99.999%,雜質含量<100ppm,粒度800-2500目,符合電子級、微電子級使用要求,產品以其優異的性能應用于電子元件、微電子元件及集成電路的高檔塑封材料等。
聲明:
“采用脈石英制備超細高純石英材料的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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