本發明涉及一種從燒結的SiC晶須粗料中獲得 高品級SiC晶須產品的分離工藝,其特征在于經粉 碎的物料兩次調漿后進行反浮選,其尾礦再進行旋流 器分離,或者采用正浮選處理,中礦采用旋流器組或 快速搖床處理,該工藝過程進行合理組合可用于易處 理和難處理物料的分離,分別得到高品級SiC-w產 品,其品級達97-98%,平均直徑1.0,1.5和≥ 3.0μm,為高科技領域復合材料提供優質增強劑,該 工藝分離效果好,節省藥劑,設備互換性好,操作簡 單。
聲明:
“獲得高品級SiC晶須的分離工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)