權利要求書： 1.一種微粗糙電解銅箔，其包含：一微粗糙面，該微粗糙面具有多個無銅瘤區和多個排列銅瘤區，一部分的無銅瘤區分布于所述多個排列銅瘤區之間；多個銅瘤，所述多個銅瘤是形成在該微粗糙面上且位于所述多個排列銅瘤區中，所述多個銅瘤不位于所述多個無銅瘤區中，且各排列銅瘤區中的所述多個銅瘤是沿著一方向排列形成在該微粗糙面上；2其中，在面積為120μm的微粗糙面中，所述多個無銅瘤區的數量為5個以上，各無銅瘤區2的面積大于或等于62500nm ，各排列銅瘤區的長度為300nm至2,500nm，各排列銅瘤區中所述多個銅瘤的平均寬度為10nm至300nm，各排列銅瘤區中所述多個銅瘤的數量為3至50個。2.如權利要求1所述的微粗糙電解銅箔，其中所述多個無銅瘤區的數量為10個至100個。3.如權利要求1所述的微粗糙電解銅箔，其中各無銅瘤區的面積為大于或等于250nm×250nm。4.如權利要求1所述的微粗糙電解銅箔，其中各無銅瘤區的面積為大于或等于500nm×2250nm，在面積為120μm的微粗糙面中，面積大于或等于500nm×250nm的所述多個無銅瘤區的數量為10個至50個。5.如權利要求1所述的微粗糙電解銅箔，其中各排列銅瘤區中所述多個銅瘤的平均寬度為10nm至200nm。6.如權利要求5所述的微粗糙電解銅箔，其中各排列銅瘤區中所述多個銅瘤的數量為3至10個。7.如權利要求1所述的微粗糙電解銅箔，其中所述微粗糙面的Rlr值為1.05至1.60。8.如權利要求7所述的微粗糙電解銅箔，其中所述微粗糙面的Sdr為0.01至0.08。9.如權利要求7所述的微粗糙電解銅箔，其中所述微粗糙面的Rlr值為1.10至1.30，該微粗糙面的Sdr為0.010至0.023。10.如權利要求1所述的微粗糙電解銅箔，其中所述微粗糙面的Sdr為0.01至0.08。11.一種銅箔基板，其包含如權利要求1至10中任一項所述的微粗糙電解銅箔及一基材，該基材與微粗糙電解銅箔壓合。12.如權利要求11所述的銅箔基板，其中該銅箔基板于4GHz的介入損失為?0.26dB/in至?0.32dB/in。13.如權利要求11所述的銅箔基板，其中該銅箔基板于8GHz的介入損失為?0.41dB/in至?0.51dB/in。14.如權利要求11所述的銅箔基板，其中該銅箔基
聲明：
“微粗糙電解銅箔以及銅箔基板” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業用途，請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)
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編輯：管理員
來源：金居開發股份有限公司
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2025年07月09日 ~ 11日 
