本發明屬于材料技術領域,提供了一種BaZrS3薄膜的制備方法,包括如下步驟:步驟S1、以BaZrO3作為反應材料,對其進行硫化處理制成靶材;步驟S2、利用步驟S1獲得的靶材進行鍍膜處理;步驟S3、對步驟S2獲得的產物進行二次硫化處理。本發明首次提出了制備BaZrS3薄膜的制備方法,以BaZrO3作為反應材料,通過硫化處理,鍍膜處理以及二次硫化處理,獲得的BaZrS3無機不含鉛硫屬鈣鈦礦材料。該材料具有優良的可見光吸收能力,在太陽能電池領域具有較大的應用前景。
聲明:
“BaZrS3薄膜及其制備方法及其應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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