離子注入機穩定性的監控方法

本發(fā)明公開(kāi)了一種離子注入機穩定性的監控方法，包括以下步驟：S1、先取光硅片，并生長(cháng)氧化層；S2、對生長(cháng)氧化層的光硅片進(jìn)行離子注入，且將離子注入的濃度峰值注入在硅和氧化層的交界面；S3、進(jìn)行快速熱處理，激活雜質(zhì)，形成導電層；S4、去除氧化層；S5、對去除氧化層的導電層進(jìn)行電阻值的測試，確認電阻穩定性；S6、對導電層進(jìn)行多次定頻監控；本發(fā)明改變現有的注入機臺監控方式，對注入機能量和劑量的穩定性監控都能起到很好的作用，大大降低因機臺的波動(dòng)而造成批量產(chǎn)品的失效報廢的機率，具有良好的市場(chǎng)應用價(jià)值。