碳化硅功率器件及其制備方法、鈍化結構

一種碳化硅功率器件及其制備方法、鈍化結構，涉及半導體器件技術(shù)領(lǐng)域。該鈍化結構應用于碳化硅功率器件，包括設置于襯底上的碳化硅外延層，以及依次形成于碳化硅外延層上的肖特基金屬層和正面金屬層；鈍化結構還包括厚度小于或等于0.1μm的鈍化層，鈍化層包括設置在碳化硅外延層上的第一部和與第一部連續的第二部，第二部至少包覆正面金屬層的部分側壁。該鈍化結構能夠有效解決器件在經(jīng)過(guò)TCT測試后，器件鈍化層發(fā)生開(kāi)裂而引起器件可靠性降低，甚至失效的問(wèn)題。