本發(fā)明提供一種溝槽式MOSFET的制造方法,通過(guò)在形成溝槽后去除抗反射涂層之前,先在所述溝槽的側壁和底部上形成一層氧化硅保護層,然后再使用加熱至一定溫度的磷酸來(lái)腐蝕去除抗反射涂層,可以避免所述磷酸對所述溝槽側壁和底部造成損傷;在去除抗反射涂層后,去除所述氧化硅保護層,而后在所述溝槽內形成的柵氧化層具有較高的質(zhì)量,在測試或使用的過(guò)程中不會(huì )出現破損而形成柵極與源極的泄露通道,進(jìn)而使得整個(gè)溝槽式MOSFET器件失效的問(wèn)題。
聲明:
“溝槽式MOSFET的制造方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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