本實(shí)用新型公開(kāi)一種MSM型金剛石快中子探測器的設計,該探測器包括底層和頂層Ti/Al歐姆接觸電極層,金剛石單晶層,Si3N4絕緣層,SiO2鈍化層,PCB板,鋁線(xiàn),導電銀漿和SMA接頭。通過(guò)SMA接頭引出探測器與后級電子學(xué)的連接,收集快中子與金剛石產(chǎn)生的電荷。在頂層電極的表面沉積了一層SiO2鈍化層,防止器件機械性損傷,有助于表面沾污時(shí)清洗,保護水汽環(huán)境中器件失效。Ti/Al金屬的厚度為50/800nm。由于金剛石是目前已知的半導體材料中最耐輻照耐高溫的材料,且金剛石中的12C與快中子能直接發(fā)生核反應,本專(zhuān)利設計可應用于快中子的探測,如中子能譜測量、計數、束流監測和位置分辨等。
聲明:
“MSM型金剛石快中子探測器” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)