存儲單元的檢測方法及設備

本公開(kāi)實(shí)施例提供一種存儲單元的檢測方法及設備，該方法包括：向存儲單元中寫(xiě)入第一數據；對存儲單元進(jìn)行第一讀取，以調整存儲電容的第一極板的第一電壓；對存儲單元進(jìn)行第二讀取，以獲取調整后的第一電壓對應的第二數據；根據第二數據和第一數據是否一致，確定存儲單元的存儲電容是否失效。本公開(kāi)在進(jìn)行第二讀取之前，先進(jìn)行第一讀取，第一讀取的目的并不是讀取數據，而是為了通過(guò)第一讀取降低位線(xiàn)回存給第一極板的電壓，從而使后續進(jìn)行第二讀取時(shí)讀取錯誤率較高，進(jìn)而可以檢測出來(lái)更多失效的存儲電容。這樣，就可以將漏電更小的離群存儲電容檢測出來(lái)。