半導體器件的制備工藝

本發(fā)明提供一種半導體器件的制備工藝，通過(guò)采用化學(xué)下游刻蝕工藝在濕法刻蝕之前先對先前形成的溝槽進(jìn)行表面進(jìn)行平滑處理，從而使得在后續濕法刻蝕工藝中能夠較好地控制溝槽的形貌，并且通過(guò)在濕法刻蝕之后對溝槽的參數進(jìn)行測量，從而基于這些參進(jìn)一步優(yōu)化刻蝕工藝中的工藝條件，使得能夠更為精確地控制刻蝕之后形成的源漏溝槽的形貌和尺寸。